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資訊專欄INFORMATION COLUMN

MLC測(cè)試工具

kycool / 2274人閱讀

摘要:測(cè)試方向內(nèi)存延遲檢查度量這些潛伏期和對(duì)于為被測(cè)系統(tǒng)建立基線和進(jìn)行性能分析是一個(gè)用于測(cè)量?jī)?nèi)存延遲和的工具,以及它們?nèi)绾坞S著系統(tǒng)負(fù)載的增加而變化。

MLC內(nèi)存延遲測(cè)試工具——intel


mlc
https://www.intel.com/content/www/us/en/developer/articles/tool/intelr-memory-latency-checker.html

其他資料參考:

https://huataihuang.gitbooks.io/cloud-atlas/content/server/memory/mlc_intel_memory_latency_checker.html

CPU預(yù)取與性能簡(jiǎn)介:

https://blog.csdn.net/qupeng110/article/details/86015471?utm_medium=distribute.pc_relevant.none-task-blog-2defaultbaidujs_baidulandingword~default-0.no_search_link&spm=1001.2101.3001.4242.1

What Your Computer Does While You Wait:

https://manybutfinite.com/post/what-your-computer-does-while-you-wait/

https://www.cnblogs.com/zengkefu/p/5589876.html

ARM學(xué)習(xí)筆記 計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu) 總線 南北橋

https://blog.csdn.net/u011690552/article/details/15710659

什么是套接字?套接字的作用是什么?

https://cloud.tencent.com/developer/news/478432

應(yīng)用層通過傳輸層進(jìn)行數(shù)據(jù)通信


硬件預(yù)取器控制

在現(xiàn)代英特爾處理器上準(zhǔn)確測(cè)量?jī)?nèi)存延遲具有挑戰(zhàn)性,因?yàn)樗鼈兙哂袕?fù)雜的硬件預(yù)取器。英特爾? MLC 會(huì)在測(cè)量延遲時(shí)自動(dòng)禁用這些預(yù)取器,并在完成時(shí)將它們恢復(fù)到之前的狀態(tài)。

  • 硬件預(yù)存器:是由于CPU和其他存儲(chǔ)設(shè)備的速度差異,導(dǎo)致的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。
  • 內(nèi)存包括主存(內(nèi)存條,基于DRAM)與高速緩存(Cache,基于SRAM)兩部分。

測(cè)試方向:

內(nèi)存延遲檢查

  • 度量這些潛伏期和 b/w 對(duì)于為被測(cè)系統(tǒng)建立基線和進(jìn)行性能分析
  • Intel Memory Latency Checker (Intel MLC)是一個(gè)用于測(cè)量?jī)?nèi)存延遲和 b/w 的工具,以及它們?nèi)绾坞S著系統(tǒng)負(fù)載的增加而變化。它還為更細(xì)粒度的研究提供了幾種選擇,其中 b/w 和特定一組核到緩存或內(nèi)存的延遲也可以測(cè)量。
  • 新選項(xiàng) --memory_bandwidth_scan(僅在 Linux 上支持)能夠以 1GB 塊的形式測(cè)量整個(gè)地址范圍內(nèi)的內(nèi)存帶寬

工具測(cè)了什么

當(dāng)該工具在沒有任何參數(shù)的情況下啟動(dòng)時(shí),它會(huì)自動(dòng)識(shí)別系統(tǒng)拓?fù)洳y(cè)量以下四種類型的信息。每個(gè)屏幕都顯示了一個(gè)屏幕截圖。

1.來自每個(gè)socket(套接字)并尋址到每個(gè)可用socket的請(qǐng)求的空閑內(nèi)存延遲矩陣

2.峰值內(nèi)存 b/w 測(cè)量(假設(shè)所有訪問都對(duì)本地內(nèi)存)具有不同讀取和寫入量的請(qǐng)求

3.來自每個(gè)socket并尋址到每個(gè)可用套接字的請(qǐng)求的內(nèi)存 b/w 值矩陣

  1. 不同b/w點(diǎn)的延遲

英特爾? MLC 還提供命令行參數(shù),用于對(duì)測(cè)量的延遲和b/w進(jìn)行細(xì)粒度控制。

以下是一些可以使用命令行參數(shù)實(shí)現(xiàn)的功能:

  • 測(cè)量從特定內(nèi)核發(fā)往特定內(nèi)存控制器的請(qǐng)求的延遲
  • 測(cè)量緩存延遲
  • 從核心/插槽的(子集測(cè)量)b/w
  • 測(cè)量不同讀/寫比率的 b/w
  • 測(cè)量隨機(jī)地址模式而不是順序的延遲
  • 更改延遲測(cè)量的步幅大小
  • 測(cè)量cache to cache 傳輸延遲

英特爾? MLC 的主要特性之一是測(cè)量延遲如何隨著bw需求的增加而變化。

  • 為方便起見,它創(chuàng)建了多個(gè)線程,其中線程數(shù)與邏輯 CPU 數(shù)減 1 相匹配。這些線程用于生成負(fù)載(以后,這些線程將被稱為負(fù)載生成線程)。
  • 負(fù)載生成線程的主要目的是生成盡可能多的內(nèi)存引用。當(dāng)系統(tǒng)像這樣加載時(shí),剩余的一個(gè) CPU(未用于生成負(fù)載)運(yùn)行一個(gè)用于測(cè)量延遲的線程。此線程稱為延遲線程并發(fā) 出相關(guān)讀取。
  • 基本上,該線程遍歷一個(gè)指針數(shù)組,其中每個(gè)指針都指向下一個(gè)指針,從而在讀取中創(chuàng)建依賴關(guān)系。這些讀取中的每一個(gè)所花費(fèi)的平均時(shí)間提供了延遲。根據(jù)負(fù)載生成線程生成的負(fù)載,此延遲會(huì)有所不同。
  • 每隔幾秒,負(fù)載生成線程就會(huì)自動(dòng)調(diào)節(jié)通過注入延遲生成的負(fù)載,從而測(cè)量各種負(fù)載條件下的延遲。有關(guān)更多詳細(xì)信息,請(qǐng)參閱您下載的軟件包中的自述文件。

命令行參數(shù)

如前所述,不帶任何參數(shù)啟動(dòng)英特爾? MLC 會(huì)衡量幾件事。但是,使用命令行參數(shù),可以按順序執(zhí)行以下每個(gè)特定操作:

*mlc --latency_matrix*

打印本地和跨插槽內(nèi)存延遲矩陣

*mlc --bandwidth_matrix*

打印本地和跨插槽內(nèi)存 b/w 矩陣

*mlc --peak_injection_bandwidth*

針對(duì)所有本地訪問的各種讀寫比率打印峰值內(nèi)存 b/w(核心以盡可能快的速度生成請(qǐng)求)

*mlc --max_bandwidth*

針對(duì)所有本地訪問的各種讀寫比率打印最大內(nèi)存黑白(通過自動(dòng)改變負(fù)載注入率)

mlc --idle_latency

打印平臺(tái)的空閑內(nèi)存延遲

mlc --loaded_latency

打印平臺(tái)的加載內(nèi)存延遲

*mlc --c2c_latency*

打印平臺(tái)的緩存到緩存?zhèn)鬏斞舆t

mlc -e

不要修改預(yù)取器設(shè)置

*mlc --memory_bandwidth_scan*

為每個(gè) 1GB 地址范圍打印整個(gè)內(nèi)存中的內(nèi)存帶寬

上述每個(gè)命令都有更多選項(xiàng)。這些在自述文件中更詳細(xì)地記錄并且可以下載

實(shí)際操作:

在阿里云上面進(jìn)行的測(cè)試:

2核2GB內(nèi)存,硬盤60GBESSD

bandwidth_scan***

為每個(gè) 1GB 地址范圍打印整個(gè)內(nèi)存中的內(nèi)存帶寬

上述每個(gè)命令都有更多選項(xiàng)。這些在自述文件中更詳細(xì)地記錄并且可以下載

實(shí)際操作:

在阿里云上面進(jìn)行的測(cè)試:

2核2GB內(nèi)存,硬盤60GBESSD

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